型号:

2N7002PW,115

RoHS:无铅 / 符合
制造商:NXP Semiconductors描述:MOSFET N-CH SGL 60V SOT-323
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
2N7002PW,115 PDF
标准包装 3,000
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 310mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 0.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 50pF @ 10V
功率 - 最大 260mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-70,SOT-323
供应商设备封装 SC-70
包装 带卷 (TR)
其它名称 2N7002PW,115-ND
568-5987-2
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